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まず、EEPROM は操作が簡単で、書き込みが簡単で書き込み前に消去する必要がありませんが、フラッシュは書き込み前に消去する必要があります。数バイトだけを置き換える場合は、最初にセクター全体を別のセクターに移動し、書き込むセクターを消去してから、そこに新しいコンテンツを書き込む必要があります。もちろん、一部のファイル システムではこれが自動的に行われます。書き換えるたびに消去する必要がありますが、それでもEEPROMに比べて非常に複雑です。

第 2 に、EEPROM の寿命はフラッシュの寿命よりも長く、ST の EEPROM マニュアルではすべて 400 ワットと評価されていますが、この EEPROM は 2,000 ワット未満の寿命に達する可能性があります。フラッシュの公称寿命は10万回ですが、私が寿命実験を行ったところ、EEPROMよりもはるかに低い40、5万回でした。

第三に、EEPROM は消費電力が低いため、停電からデータを保護する必要がある場合、EEPROM には電解コンデンサの電力で十分です。停電下でも EEPROM からデータを読み取る必要があり、電力消費に敏感な場合、EEPROM はニーズに十分対応できます。

EEPROM の主な欠点は、ユニット容量が常に MB 単位であるのに比べて、EEPROM は通常 KB 単位であることです。これは主にニーズによって異なりますが、保存されるデータが少なく、消費電力の影響を受けやすい場合には、EEPROM の方が適しています。フラッシュを使用する必要がある場合でも、いくつかの重要なパラメータを EEPROM に入れることができます。EEPROM の信頼性はフラッシュよりも優れています。